11月13日，面对中国半导体企业的竞争，韩国半导体行业试图通过技术升级来与中国甩开差距。其中韩国半导体行业的两大巨头三星电子和SK海力士已经开始量产世界顶级技术的存储芯片。
SK海力士
11月12日，SK海力士表示，研发出了应用第二代10纳米级(1y)微加工技术的8GB DDR4 DRAM。比起第一代技术，在生产效率上提高了20%，耗电减低了15%，数据传输与交换的信号量提升至前一代的两倍。三星电子方面从去年11月开始批量生产技术水平相仿的DRAM，今年7月已经能够量产第二代10纳米级(1y)微加工技术的16GB手机用DRAM。
目前韩国半导体繁荣产生，半导体出口额占总出口额的比重越来越高。对于韩国半导体行业来说，面临的最大威胁便是中国的猛烈追击。业界普遍认为，目前中国存储芯片的技术水平比韩国落后3-5年。
SK海力士
现在中国YMTC宣布将在明年批量生产的半导体属于32层3D Nand闪存，这是三星电子和SK海力士从2014年开始批量生产的产品。目前三星和海力士生产的主力产品是64-72层3D Nand闪存，现在三星电子已经开始引进生产10纳米级以下新一代DRAM的极紫外光刻(EUV)生产线，SK海力士也将在年底开始量产96层4D Nand闪存半导体。
但是中国的半导体追击依然是引发需求激增的半导体行业出现“价格触顶”争议的主要原因。正因如此，韩国半导体行业一致认为，中国的技术发展速度对韩国半导体行业产生了巨大威胁。
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