近日，SK海力士宣布：“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来，在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4D Nand闪存半导体，计划在今年年内进行第一批量产”。96层Nand闪存将为三星电子和东芝半导体在今年下半年投入生产，是目前性能最强的闪存之一。
SK海力士研发“最强”闪存 （图片来自网络）
SK海力士在去年4月研发出72层3D Nand闪存之后，用了短短1年半就攻克了96层半导体技术，这种半导体体积比现在的72层512Gbit 3D Nand闪存缩小了30%以上，可以搭载到智能手机移动零部件之中，每张面板可以生产的记忆容量(bit)提升1.5倍，可同时处理的数据量更是提升一倍至业界最高水平的64KB，一个新的芯片产品可以取代2个原来的256Gbit 3D Nand闪存。SK海力士强调，“新芯片的读写能力分别比现在的72层产品提高了30%和25%”。
SK海力士之所以自称“全球首次”，是因为该公司不同于其他半导体公司采用的2D Nand浮栅型闪存单元技术，而是将3D Nand使用的电荷撷取闪存(CTF，Charge Trap Flash)结构与外围电路(PUC，Peri Under Cell)构造结合起来开发出了新的技术。PUC技术将用来驱动晶胞的周边电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方，相当于将公寓楼(Nand闪存)所需要的停车场从公寓旁边改建到了地下空间，以此方式提高空间使用效率。
SK海力士公司常务金正泰表示：“给予CTF技术的96层4D Nand闪存拥有业界最顶级的性能和成本优势”，“我们还正利用相同技术研发新一代128层4D Nand闪存”。
此外，SK海力士计划在年内推出搭载“4D Nand”内存，这款产品拥有1TB容量固态硬盘（SSD）将会成为半导体存储信息中新一代大容量储存设备。
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