随着移动设备领域智能操作系统与硬件性能的不断进步，智能移动设备产品的电池续航能力首当其冲迎来了其发展瓶颈。同时，智能移动设备的易失性内存（闪存）和易失性内存（SDRAM）如何进一步提升，同样是硬件厂商的难题之一。
WIDE IO Mobile DRAM示意图
据国外媒体报道，三星电子(Samsung Electronics)近日公布已开发出新一代移动储存技术――WIDE IO Mobile DRAM。据悉，该芯片符合LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）标准，并将广泛适用于智能手机与平板电脑等移动设备。而相比普通的Mobile DRAM，全新的WIDE IO Mobile DRAM性能提升了8倍，即传输速度从1.6Gbps提高到了12.8Gbps，同时其功耗则减少了87%。
WIDE IO Mobile DRAM示意图
同时作为三星电子最大客户之一，苹果公司下一代苹果iPad、苹果iPhone以及苹果iPod将极有可能采用这项全新技术。此外，三星电子预计在2013年将会推出采用22纳米工艺的Mobile DRAM。
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