7月11日，根据外媒报道，三星电子目前已经正式开始量产第五代三维(3D)V Nand闪存，本月起已在京畿道平泽工厂投入批量生产。这是三星电子在上一代产品时隔1年零7个月之后再次升级。
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三星电子发布公告称将批量生产全球首款256Gb的第五代V Nand，相比于第四代产品，新产品的数据处理速度达到每秒1.4Gb，比第四代快40%。启动电压减少了33%(1.8→1.2V)，数据使用时间(500微秒)也加快了30%。
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考虑到东芝、WDC、镁光等竞争公司是以第四代64~72层产品为主力军，三星的第五代V Nand的“三维(圆筒形)CTF 存储单元(Cell)”层数超过90多层。闪存的层数越高，在实现统一容量方面需要的芯片就越少。
根据全球半导体观察(DRAMeXchange)的资料显示，三星电子在今年第一季度创下了37%的Nand Flash占有率。而中国今年计划批量生产32层的3D Nand，相当于第二代闪存技术。
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